据悉北方某国计划以X射线进行光刻，它早就在研究无掩模X射线光刻机，此举具有一定的可行性，因为它的波长比ASML所采用极紫外线还要短，X射线波长基于0.01nm至10nm之间，而EUV极紫外线波长长度为13.5nm，X射线光刻机无需光掩模就可以直接光刻，此举可以大幅降低芯片制造成本，同时在精准度方面也更高。
与北方某国不同，日本研发无需ASML光刻机的芯片制造技术，则是因为EUV光刻机的成本太高了，一台EUV光刻机的售价高达1.5亿美元，而下一代更精准的EUV光刻机售价可望进一步提高到3亿美元，昂贵的EUV光刻机让日本企业难以接受，它们因此而在数年前就开始研发无需ASML光刻机的芯片制造技术。
日本的存储大厂铠侠Kioxia(东芝)早在数年前就已与日本半导体厂商大日本印刷株式会社(DNP)研发新的光刻技术，在2020年成功研发出纳米压印微影(NIL)技术，并已应用于Kioxia公司的NAND flash芯片生产中，它们预计该技术可以应用于5nm工艺，打破当下DUV光刻机只可以应用于最高7nm工艺的限制，而且成本更低。
中国则延续了当下的芯片制造技术方向，据悉中芯国际即将以DUV光刻机生产7nm工艺，这个技术其实已由台积电实现，此前台积电的第一代7nm工艺就是以DUV光刻机生产的，后来再升级至7nmEUV，7nm工艺将足以满足中国多数芯片的需求。
除了以DUV光刻机生产7nm工艺之外，中国芯片企业华为海思还研发了芯片堆叠技术，该技术此前曾遭受一些质疑，不过随着台积电推出的3D WOW技术大幅提升了7nm工艺芯片的性能，性能提升幅度达到40%，超过5nm工艺的性能提升幅度;苹果也通过特殊的联结方式将两颗M1芯片连接在一起而取得了性能倍增，都证明了芯片堆叠技术的可行性。
如此中芯国际的7nm工艺辅以芯片堆叠技术，业界预期此举可以将性能提升至接近5nm更进一步满足国内芯片行业的要求，而且此举也有助于降低成本。
上述这些技术发展都说明了ASML的EUV光刻机将不会成为推进至7nm工艺以下的必然选项，芯片制造行业完全可以通过研发其他技术绕过EUV光刻机的限制，提升芯片的性能，甚至生产芯片的成本比EUV光刻机更低。
不仅如此，全球芯片供应紧张的状况似乎已有缓解的迹象，手机芯片行业已出现过剩，射频芯片库存达到了较高的水平，导致手机企业不再抢购芯片。这是因为手机行业的出货量其实已低于历史最高水平，汽车、电视的出货量也有所下降，2021年出货量增长幅度较大的PC也在今年一季度显著下滑，这都可能导致芯片产能过剩，芯片产能出现过剩的话，当前全球抢购光刻机的现象也就会缓解，甚至光刻机可能因此过剩。
可以说属于ASML的高光时刻似乎正在过去，面对芯片技术的变革，以及芯片供应的变化，ASML赚得盆满钵满的时代可能一去不复返了，那时候ASML会不会改变当前销售的诸多阻碍，而转变态度希望客户采购它的光刻机呢?
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